Email : sales@nbklsele.com
+86 574 86828566
English
Złącze karty Nano SIM, 6 pinów, wys. 1,4 mm, zawiasowe, bez pinu CD KLS1-SIM-077
Złącze karty Nano SIM, 6 pinów, wys. 1,4 mm, zawiasowe, bez pinu CD KLS1-SIM-077 Zdjęcie główne
  • Złącze karty Nano SIM, 6 pinów, wys. 1,4 mm, zawiasowe, bez pinu CD KLS1-SIM-077

Złącze karty Nano SIM, 6 pinów, wys. 1,4 mm, zawiasowe, bez pinu CD KLS1-SIM-077

Krótki opis:


Pobierz jako PDF

Szczegóły produktu

Tagi produktów

Zdjęcia produktów

Złącze karty Nano SIM, 6 pinów, wys. 1,4 mm, zawiasowe, bez pinu CD Złącze karty Nano SIM, 6 pinów, wys. 1,4 mm, zawiasowe, bez pinu CD

Złącze karty Nano SIM, 6 pinów, wys. 1,4 mm, zawiasowe, bez pinu CD

Tworzywo:
Izolator: tworzywo termoplastyczne odporne na wysoką temperaturę, UL94V-0.
Styk: C5210, platerowany 50u” Ni, ogólny styk All Au 1U.
Obudowa: SUS.All Ni 30U/MIN.

Elektryczny:
Prąd znamionowy: 0,5A
Napięcie znamionowe: 5 V AC/DC
Zakres wilgotności otoczenia: maks. 95% RH.
Rezystancja styku: maks. 80 mΩ.
Rezystancja izolacji: min. 100 MΩ/100 V DC
Cykle godowe: 10000 wstawień.
Temperatura pracy: -45ºC~+85ºC

Złącze karty Nano SIM, 6 pinów, wys. 1,4 mm, zawiasowe, bez pinu CD

Tworzywo:
Izolator: tworzywo termoplastyczne odporne na wysoką temperaturę, UL94V-0.
Styk: C5210, platerowany 50u” Ni, ogólny styk All Au 1U.
Obudowa: SUS.All Ni 30U/MIN.

Elektryczny:
Prąd znamionowy: 0,5A
Napięcie znamionowe: 5 V AC/DC
Zakres wilgotności otoczenia: maks. 95% RH.
Rezystancja styku: maks. 80 mΩ.
Rezystancja izolacji: min. 100 MΩ/100 V DC
Cykle godowe: 10000 wstawień.
Temperatura pracy: -45ºC~+85ºC

 

  • Poprzedni:
  • Następny:
    • Napisz tutaj swoją wiadomość i wyślij ją do nas

    powiązane produkty

    Naciśnij Enter, aby wyszukać lub ESC, aby zamknąć